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- 品番:
- SPP04N50C3HKSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPP04N50C3HKSA1 electronic components. SPP04N50C3HKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP04N50C3HKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPP04N50C3HKSA1 製品の属性
品番 :
SPP04N50C3HKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
560V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
950 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
470pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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