Infineon Technologies - IRFR3412TRPBF

KEY Part #: K6413130

[13206個在庫]


    品番:
    IRFR3412TRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRFR3412TRPBF electronic components. IRFR3412TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3412TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR3412TRPBF 製品の属性

    品番 : IRFR3412TRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 48A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 29A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 89nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3430pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 140W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRFR3710ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR3710ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR3710ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • SSR1N60BTM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK.