Vishay Siliconix - SUP90N06-6M0P-E3

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SUP90N06-6M0P-E3 価格設定(USD) [29408個在庫]

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品番:
SUP90N06-6M0P-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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ISO-13485
ISO-14001
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ISO-45001-2018

SUP90N06-6M0P-E3 製品の属性

品番 : SUP90N06-6M0P-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 90A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4700pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.75W (Ta), 272W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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