ZXMHC6A07T8TA 価格設定（USD） [106606個在庫]
- 1 pcs$0.34869
- 1,000 pcs$0.34695
- 品番:
- ZXMHC6A07T8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8TA electronic components. ZXMHC6A07T8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMHC6A07T8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMHC6A07T8TA 製品の属性
品番 :
ZXMHC6A07T8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.6A, 1.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
166pF @ 40V
パワー-最大 :
1.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-223-8
サプライヤーデバイスパッケージ :
SM8
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM90-09P
- TPC8405(TE12L,Q,M)
- GWM180-004X2-SLSAM
- GWM180-004X2-SL
- BUK9MNN-65PKK,518
- SI7905DN-T1-E3
- SP8J5FU6TB
- IRF7309PBF
- EPC2105ENG
- APTC90AM60SCTG
- APTC60DSKM70T1G
- UPA2670T1R-E2-AX
- AO5800E
- ECH8672-TL-H
- AON4605
- IRLHS6376TR2PBF
- SI6933DQ-T1-GE3
- SI4622DY-T1-GE3
- ALD1115MAL
- MP6K31TR
- SP8K1FU6TB
- NTHD4102PT3G
- SIA914DJ-T1-E3
- SI9933BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3
- NTJD2152PT2G
- FDW2510NZ
- ZXMC4A16DN8TC
- NTJD4001NT1
- TPC8207(TE12L)
- IRF7106
- PMWD20XN,118
- SI7540ADP-T1-GE3
- SQJ262EP-T1_GE3
- IPG20N10S4L35AATMA1
- SH8M13GZETB
- SH8K41GZETB
- SIA921EDJ-T4-GE3
- QH8KA2TCR
- BSD235CH6327XTSA1