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- 品番:
- PSMN3R9-60XSQ
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN3R9-60XSQ electronic components. PSMN3R9-60XSQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN3R9-60XSQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN3R9-60XSQ 製品の属性
品番 :
PSMN3R9-60XSQ
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
103nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5494pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
55W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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