Infineon Technologies - IPP065N06LGAKSA1

KEY Part #: K6409835

[144個在庫]


    品番:
    IPP065N06LGAKSA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP065N06LGAKSA1 製品の属性

    品番 : IPP065N06LGAKSA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
    シリーズ : OptiMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 180µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 157nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5100pF @ 30V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 250W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3-1
    パッケージ/ケース : TO-220-3

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