Toshiba Semiconductor and Storage - TK9A55DA(STA4,Q,M)

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品番:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9A55DA(STA4,Q,M) 製品の属性

品番 : TK9A55DA(STA4,Q,M)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
シリーズ : π-MOSVII
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 550V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 860 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1050pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 40W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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