メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 900V TO220SIS
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
7A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
32nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1350pF @ 25V
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220SIS
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack