Nexperia USA Inc. - PH3230S,115

KEY Part #: K6415214

[12487個在庫]


    品番:
    PH3230S,115
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Nexperia USA Inc. PH3230S,115 electronic components. PH3230S,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH3230S,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PH3230S,115 製品の属性

    品番 : PH3230S,115
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
    シリーズ : TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4100pF @ 10V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 62.5W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
    パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.