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ON Semiconductor - FDN5618P

KEY Part #: K6418666

FDN5618P 価格設定（USD） [491493個在庫]

  • 1 pcs$0.07563
  • 3,000 pcs$0.07526
品番:
FDN5618P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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We specialize in ON Semiconductor FDN5618P electronic components. FDN5618P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN5618P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN5618P 製品の属性

品番 : FDN5618P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.25A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13.8nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 430pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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