Toshiba Semiconductor and Storage - TK7A65W,S5X

KEY Part #: K6418595

TK7A65W,S5X 価格設定(USD) [69531個在庫]

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品番:
TK7A65W,S5X
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7A65W,S5X 製品の属性

品番 : TK7A65W,S5X
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 780 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 490pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220SIS
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack