RQ3E100MNTB1 価格設定（USD） [222668個在庫]
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- 品番:
- RQ3E100MNTB1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1 electronic components. RQ3E100MNTB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E100MNTB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E100MNTB1 製品の属性
品番 :
RQ3E100MNTB1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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