IRFB260NPBF 価格設定（USD） [28512個在庫]
- 1 pcs$1.38820
- 10 pcs$1.25423
- 100 pcs$0.95615
- 500 pcs$0.74367
- 1,000 pcs$0.61619
- 品番:
- IRFB260NPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB260NPBF electronic components. IRFB260NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB260NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB260NPBF 製品の属性
品番 :
IRFB260NPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
56A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4220pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
380W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR