Rohm Semiconductor - RD3L080SNTL1

KEY Part #: K6403513

RD3L080SNTL1 価格設定(USD) [241158個在庫]

  • 1 pcs$0.15337

品番:
RD3L080SNTL1
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
NCH 60V 8A POWER MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3L080SNTL1 製品の属性

品番 : RD3L080SNTL1
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : NCH 60V 8A POWER MOSFET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 380pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 15W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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