ON Semiconductor - FDMS86150ET100

KEY Part #: K6393914

FDMS86150ET100 価格設定(USD) [44857個在庫]

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品番:
FDMS86150ET100
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86150ET100 製品の属性

品番 : FDMS86150ET100
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Ta), 128A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.85 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4065pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.3W (Ta), 187W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Power56
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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