Infineon Technologies - BUZ31

KEY Part #: K6409914

[117個在庫]


    品番:
    BUZ31
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies BUZ31 electronic components. BUZ31 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ31, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUZ31 製品の属性

    品番 : BUZ31
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
    シリーズ : SIPMOS®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14.5A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 9A, 5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1120pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 95W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-3
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.