BSB056N10NN3GXUMA1 価格設定（USD） [59902個在庫]
- 1 pcs$0.65273
- 5,000 pcs$0.59887
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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BSB056N10NN3GXUMA1 製品の属性
品番 :
BSB056N10NN3GXUMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Ta), 83A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5500pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース :
3-WDSON
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