Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1

KEY Part #: K6416489

BSB056N10NN3GXUMA1 価格設定(USD) [59902個在庫]

  • 1 pcs$0.65273
  • 5,000 pcs$0.59887

品番:
BSB056N10NN3GXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1 electronic components. BSB056N10NN3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB056N10NN3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB056N10NN3GXUMA1 製品の属性

品番 : BSB056N10NN3GXUMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 9A (Ta), 83A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5500pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MG-WDSON-2, CanPAK M™
パッケージ/ケース : 3-WDSON

あなたも興味があるかもしれません
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.