Infineon Technologies - IPW80R290C3AFKSA1

KEY Part #: K6416557

IPW80R290C3AFKSA1 価格設定(USD) [15708個在庫]

  • 1 pcs$2.62358
  • 240 pcs$2.34251

品番:
IPW80R290C3AFKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPW80R290C3AFKSA1 electronic components. IPW80R290C3AFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW80R290C3AFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW80R290C3AFKSA1 製品の属性

品番 : IPW80R290C3AFKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V TO247
シリーズ : *
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : -
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • TK31A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS.