Vishay Siliconix - SI4668DY-T1-E3

KEY Part #: K6393568

SI4668DY-T1-E3 価格設定(USD) [178611個在庫]

  • 1 pcs$0.20812
  • 2,500 pcs$0.20708

品番:
SI4668DY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3 electronic components. SI4668DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4668DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4668DY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI4668DY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs(最大) : ±16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1654pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • DKI04046

    Sanken

    MOSFET N-CH 40V 48A TO-252.

  • DKI03038

    Sanken

    MOSFET N-CH 30V 48A TO-252.

  • DKI04103

    Sanken

    MOSFET N-CH 40V 29A TO-252.