[12325個在庫]
- 品番:
- STP8NM50
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 550V 8A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STP8NM50 electronic components. STP8NM50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP8NM50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP8NM50 製品の属性
品番 :
STP8NM50
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
シリーズ :
MDmesh™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
550V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
800 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
415pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
100W (Tc)
動作温度 :
-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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