技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
39A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
25.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
1800pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース :
SC-100, SOT-669