TPH4R50ANH,L1Q 価格設定（USD） [73406個在庫]
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- 品番:
- TPH4R50ANH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50ANH,L1Q electronic components. TPH4R50ANH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH4R50ANH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH4R50ANH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPH4R50ANH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
5200pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.6W (Ta), 78W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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