Infineon Technologies - IPW65R150CFDFKSA1

KEY Part #: K6399974

IPW65R150CFDFKSA1 価格設定(USD) [18969個在庫]

  • 1 pcs$2.17265
  • 240 pcs$1.37320

品番:
IPW65R150CFDFKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 650V TO247.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW65R150CFDFKSA1 製品の属性

品番 : IPW65R150CFDFKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 650V TO247
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 150 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2340pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 195.3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

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