Infineon Technologies - BSC080N03MSGATMA1

KEY Part #: K6416852

BSC080N03MSGATMA1 価格設定(USD) [307959個在庫]

  • 1 pcs$0.12011
  • 5,000 pcs$0.10219

品番:
BSC080N03MSGATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSC080N03MSGATMA1 electronic components. BSC080N03MSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC080N03MSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC080N03MSGATMA1 製品の属性

品番 : BSC080N03MSGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta), 53A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2100pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 35W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.