ON Semiconductor - FQU1N80TU

KEY Part #: K6420622

FQU1N80TU 価格設定(USD) [219672個在庫]

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品番:
FQU1N80TU
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU1N80TU 製品の属性

品番 : FQU1N80TU
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 195pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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