IXFA8N50P3 価格設定（USD） [40222個在庫]
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- 品番:
- IXFA8N50P3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFA8N50P3 electronic components. IXFA8N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA8N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFA8N50P3 製品の属性
品番 :
IXFA8N50P3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
シリーズ :
HiPerFET™, Polar3™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
800 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1.5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
705pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
180W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263 (IXFA)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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