NTMFS5H419NLT1G 価格設定（USD） [115488個在庫]
- 1 pcs$0.32027
- 品番:
- NTMFS5H419NLT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- T8 40V LOW COSS.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFS5H419NLT1G electronic components. NTMFS5H419NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5H419NLT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFS5H419NLT1G 製品の属性
品番 :
NTMFS5H419NLT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
T8 40V LOW COSS
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
29A (Ta), 155A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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