ON Semiconductor - NTBS2D7N06M7

KEY Part #: K6397109

NTBS2D7N06M7 価格設定(USD) [38754個在庫]

  • 1 pcs$1.00893

品番:
NTBS2D7N06M7
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTBS2D7N06M7 electronic components. NTBS2D7N06M7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTBS2D7N06M7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTBS2D7N06M7 製品の属性

品番 : NTBS2D7N06M7
メーカー : ON Semiconductor
説明 : NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 110A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6655pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tj)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません