IRFS3206TRRPBF 価格設定（USD） [53345個在庫]
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- 品番:
- IRFS3206TRRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFS3206TRRPBF electronic components. IRFS3206TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFS3206TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFS3206TRRPBF 製品の属性
品番 :
IRFS3206TRRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6540pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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