Vishay Siliconix - IRFIBC40GPBF

KEY Part #: K6399155

IRFIBC40GPBF 価格設定(USD) [22373個在庫]

  • 1 pcs$1.65703
  • 10 pcs$1.47987
  • 100 pcs$1.21342
  • 500 pcs$0.93217
  • 1,000 pcs$0.78617

品番:
IRFIBC40GPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFIBC40GPBF electronic components. IRFIBC40GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIBC40GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFIBC40GPBF 製品の属性

品番 : IRFIBC40GPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1300pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 40W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

  • TN0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • VN2410L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN1206L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3.

  • VN10KN3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3.

  • IRLIZ44NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP.