Nexperia USA Inc. - PHK31NQ03LT,518

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PHK31NQ03LT,518 価格設定(USD) [12443個在庫]

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品番:
PHK31NQ03LT,518
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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PHK31NQ03LT,518 製品の属性

品番 : PHK31NQ03LT,518
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 30V 30.4A 8-SOIC
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 30.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.15V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4235pF @ 12V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 6.9W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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