Infineon Technologies - IPZ60R041P6FKSA1

KEY Part #: K6401827

IPZ60R041P6FKSA1 価格設定(USD) [2916個在庫]

  • 240 pcs$4.24387

品番:
IPZ60R041P6FKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO247-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPZ60R041P6FKSA1 electronic components. IPZ60R041P6FKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ60R041P6FKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R041P6FKSA1 製品の属性

品番 : IPZ60R041P6FKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO247-4
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 77.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 41 mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 2.96mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8180pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 481W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-4
パッケージ/ケース : TO-247-4

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN4310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

  • VN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.