Infineon Technologies - IPZ60R041P6FKSA1

KEY Part #: K6401827

IPZ60R041P6FKSA1 価格設定(USD) [2916個在庫]

  • 240 pcs$4.24387

品番:
IPZ60R041P6FKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V TO247-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R041P6FKSA1 製品の属性

品番 : IPZ60R041P6FKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 600V TO247-4
シリーズ : CoolMOS™ P6
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 77.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 41 mOhm @ 35.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 2.96mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8180pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 481W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO247-4
パッケージ/ケース : TO-247-4

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