IRFI1010NPBF 価格設定（USD） [46297個在庫]
- 1 pcs$0.81111
- 10 pcs$0.73084
- 100 pcs$0.58735
- 500 pcs$0.45683
- 1,000 pcs$0.37851
- 品番:
- IRFI1010NPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI1010NPBF electronic components. IRFI1010NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI1010NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI1010NPBF 製品の属性
品番 :
IRFI1010NPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
49A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
12 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2900pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
58W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB Full-Pak
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM42N20
- ON5194,127
- IRFC3004EB
- NDBA170N06AT4H
- VP0808B-E3
- IRF8308MTR1PBF
- JAN2N6798U
- APTC90DAM60T1G
- FDMS2506SDC
- IRFW540ATM
- SIR840DP-T1-GE3
- SIB412DK-T1-GE3
- NTD4857N-1G
- SI7107DN-T1-E3
- IPP25N06S325XK
- IRF6619TRPBF
- FDZ208P
- FQI50N06LTU
- FDB4020P
- IRFU3709ZPBF
- GA05JT12-247
- FQPF1N50
- FDS6679Z
- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
- PH2625L,115
- STF13NM60N-H
- IRF830
- IXTQ200N06P
- AUIRFP4409
- IXTH98N20T
- IPC302N25N3X1SA1
- AUIRF3205ZSTRL
- IPB80P04P4L04ATMA1
- SI4686DY-T1-GE3
- TK7P50D(T6RSS-Q)
- NVMFS5C468NLWFAFT3G
- BUK7M12-40EX
- PMV25ENEAR