Vishay Siliconix - SIHG22N60AEL-GE3

KEY Part #: K6397603

SIHG22N60AEL-GE3 価格設定(USD) [18373個在庫]

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品番:
SIHG22N60AEL-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CHAN 600V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG22N60AEL-GE3 製品の属性

品番 : SIHG22N60AEL-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CHAN 600V
シリーズ : EL
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1757pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 208W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AC
パッケージ/ケース : TO-247-3

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