SUD19P06-60-GE3 価格設定（USD） [167720個在庫]
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- 品番:
- SUD19P06-60-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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SUD19P06-60-GE3 製品の属性
品番 :
SUD19P06-60-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
18.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1710pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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