SI4228DY-T1-E3 価格設定（USD） [228100個在庫]
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- 品番:
- SI4228DY-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4228DY-T1-E3 electronic components. SI4228DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4228DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4228DY-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI4228DY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
790pF @ 12.5V
パワー-最大 :
3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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