SI1034CX-T1-GE3 価格設定（USD） [813936個在庫]
- 1 pcs$0.04544
- 3,000 pcs$0.04307
- 品番:
- SI1034CX-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V SC89-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1034CX-T1-GE3 electronic components. SI1034CX-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1034CX-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1034CX-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI1034CX-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
610mA (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
43pF @ 10V
パワー-最大 :
220mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-89-6
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NDS8936
- BUK7K6R2-40E/CX
- UPA2350T1P-E4-A
- NTZD3155CT1H
- NTZD5110NT5G
- AON2801L
- SSM6P35FE,LM
- AO4914_101
- EFC6611R-A-TF
- EMH2407-S-TL-H
- JANTX2N7334
- AON6938
- MCH6662-TL-H
- SIZ700DT-T1-GE3
- SI7911DN-T1-GE3
- SI4906DY-T1-GE3
- SP8M7FU6TB
- FDD8424H_F085
- IRF7750TRPBF
- SI7872DP-T1-E3
- SI7842DP-T1-E3
- SI6993DQ-T1-E3
- SI4830ADY-T1-E3
- SI1913EDH-T1-E3
- SI1035X-T1-E3
- NTJD4401NT4G
- FDW2503NZ
- FDW2507NZ
- NTHD2102PT1
- BSO215C
- ZDM4306NTA
- NVMFD5483NLT3G
- SQ4284EY-T1_GE3
- BUK7K12-60EX
- BUK7K6R8-40E,115
- SIR770DP-T1-GE3
- BSZ0909NDXTMA1
- IPG20N06S2L50ATMA1
- IRF7506TRPBF
- QS8M11TCR