Infineon Technologies - IRF7309TRPBF

KEY Part #: K6525407

IRF7309TRPBF 価格設定(USD) [287704個在庫]

  • 1 pcs$0.12856
  • 4,000 pcs$0.09879

品番:
IRF7309TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF7309TRPBF electronic components. IRF7309TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7309TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7309TRPBF 製品の属性

品番 : IRF7309TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A, 3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 520pF @ 15V
パワー-最大 : 1.4W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません