ON Semiconductor - FQT7N10LTF

KEY Part #: K6420150

FQT7N10LTF 価格設定(USD) [458617個在庫]

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品番:
FQT7N10LTF
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQT7N10LTF 製品の属性

品番 : FQT7N10LTF
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 290pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223-4
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

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