メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
20.6A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
47.1nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
2962pF @ 30V
消費電力(最大) :
3.2W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8