Diodes Incorporated - DMTH6005LPSQ-13

KEY Part #: K6396381

DMTH6005LPSQ-13 価格設定(USD) [117867個在庫]

  • 1 pcs$0.31381
  • 2,500 pcs$0.27774

品番:
DMTH6005LPSQ-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH6005LPSQ-13 electronic components. DMTH6005LPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6005LPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH6005LPSQ-13 製品の属性

品番 : DMTH6005LPSQ-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20.6A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 47.1nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2962pF @ 30V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.2W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerDI5060-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません