IPB65R045C7ATMA2 価格設定（USD） [12226個在庫]
- 1 pcs$3.37072
- 品番:
- IPB65R045C7ATMA2
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB65R045C7ATMA2 electronic components. IPB65R045C7ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB65R045C7ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB65R045C7ATMA2 製品の属性
品番 :
IPB65R045C7ATMA2
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
シリーズ :
CoolMOS™ C7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
46A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1.25mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
93nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4340pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
227W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO263-3
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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