Diodes Incorporated - DMN30H14DLY-13

KEY Part #: K6394069

DMN30H14DLY-13 価格設定(USD) [323412個在庫]

  • 1 pcs$0.11494
  • 2,500 pcs$0.11437

品番:
DMN30H14DLY-13
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13 electronic components. DMN30H14DLY-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN30H14DLY-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN30H14DLY-13 製品の属性

品番 : DMN30H14DLY-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 300V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 210mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 96pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 900mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-89
パッケージ/ケース : TO-243AA

あなたも興味があるかもしれません