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ON Semiconductor - 2N7002LT1

KEY Part #: K6412999

[13251個在庫]

    品番:
    2N7002LT1
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor 2N7002LT1 electronic components. 2N7002LT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002LT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7002LT1 製品の属性

    品番 : 2N7002LT1
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 115mA (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 50pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 225mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
    パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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