ZXMN2A04DN8TA 価格設定（USD） [78358個在庫]
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- 500 pcs$0.49900
- 品番:
- ZXMN2A04DN8TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TA electronic components. ZXMN2A04DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN2A04DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN2A04DN8TA 製品の属性
品番 :
ZXMN2A04DN8TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22.1nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1880pF @ 10V
パワー-最大 :
1.8W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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