ON Semiconductor - FDG6332C

KEY Part #: K6522724

FDG6332C 価格設定(USD) [421609個在庫]

  • 1 pcs$0.08817
  • 3,000 pcs$0.08773

品番:
FDG6332C
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDG6332C electronic components. FDG6332C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6332C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG6332C 製品の属性

品番 : FDG6332C
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 700mA, 600mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 113pF @ 10V
パワー-最大 : 300mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88 (SC-70-6)

あなたも興味があるかもしれません
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.