NVMFS6H818NT1G 価格設定（USD） [82385個在庫]
- 1 pcs$0.47461
- 品番:
- NVMFS6H818NT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRENCH 8 80V NFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFS6H818NT1G electronic components. NVMFS6H818NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6H818NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFS6H818NT1G 製品の属性
品番 :
NVMFS6H818NT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRENCH 8 80V NFET
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta), 123A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 190µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3100pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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