FDN327N 価格設定（USD） [683386個在庫]
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- 品番:
- FDN327N
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDN327N electronic components. FDN327N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN327N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDN327N 製品の属性
品番 :
FDN327N
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
70 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.3nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
423pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT-3
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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