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- 品番:
- IRLHS6276TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF electronic components. IRLHS6276TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6276TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6276TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRLHS6276TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.5A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 10µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.1nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 10V
パワー-最大 :
1.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-PQFN Dual (2x2)
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