[3849個在庫]
- 品番:
- SI7842DP-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7842DP-T1-E3 electronic components. SI7842DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7842DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7842DP-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI7842DP-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
シリーズ :
LITTLE FOOT®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1.4W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- AO6604L_001
- SP8M3FU6TB
- AO4614BL_DELTA
- BTS7904SAKSA1
- AOD607_DELTA
- NTQD6968N
- IRF7303PBF
- AO8822#A
- AO4801AL_001
- AO4614BL_103
- EPC2100ENG
- AUIRF7319Q
- SI7980DP-T1-E3
- SI7909DN-T1-GE3
- SI7904DN-T1-E3
- SI4567DY-T1-GE3
- IRF6702M2DTR1PBF
- SI1539DL-T1-GE3
- BSL314PEL6327HTSA1
- SP8K5FU6TB
- DMN2040LSD-13
- SI1016X-T1-E3
- VMM1000-01P
- ZXMN6A09DN8TC
- FDS6892AZ
- FDS3912
- IRF7307PBF
- IRF7105PBF
- NTMD6N02R2
- TPC8208(TE12L,Q)
- PMDPB65UP,115
- SP8M10TB
- 2N7002VA-7
- IRF9395MTRPBF
- IPG20N04S408AATMA1
- IPG16N10S4L61AATMA1
- BSC0925NDATMA1
- IRFHS9351TRPBF
- PMDPB58UPE,115
- SSM6N36FE,LM