Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

KEY Part #: K6525304

BSZ0909NDXTMA1 価格設定(USD) [181450個在庫]

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品番:
BSZ0909NDXTMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0909NDXTMA1 製品の属性

品番 : BSZ0909NDXTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 20A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 360pF @ 15V
パワー-最大 : 17W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-WISON-8